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Intel正在研究3D PLC闪存,坚持浮栅型结构不动摇
2019-10-23 10:19:43
[摘要] plc闪存每个存储单元会存储5位数据,而它的电压状态会从2的4次方增加到2的5次方也就是32种,如果真如intel所说那样浮栅型结构在抗干扰上有优势的话,它确实更适合用来制作plc。intel并没有告

虽然qlc闪存尚未大规模推广,市场上采用qlc闪存的固态硬盘数量很少,但闪存工厂已经在为下一代plc闪存做准备。东芝在上个月的国际闪存峰会上展示了其plc计划,现在轮到英特尔了。

英特尔今天上午在韩国首尔举行的存储会议上宣布,未来的plc闪存仍将采用浮栅结构。其他制造商在3d闪存时代转向电荷俘获型,因为他们认为后者可以有效提高闪存的耐用性。然而,英特尔认为浮动栅极结构在读取抗扰度、数据保留期、更长的读取窗口方面具有更好的性能,并且随着存储密度的增加,浮动栅极类型更容易增加密度。

plc闪存的每个存储单元将存储5位数据,其电压状态将从2到4次幂增加到2到5次幂,即32种。如果浮栅结构在抗干扰方面有优势,正如英特尔所说,它确实更适合制造plc。英特尔没有告诉你什么时候可以看到plc闪存,其他制造商告诉了你。据估计,至少两年内每个人都可能看不到成品。

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